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应用分享-XPS中俄歇峰与AES俄歇谱的差异-香蕉视频破解版仪器(上海)有限公司

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应用分享-XPS中俄歇峰与AES俄歇谱的差异

更新时间:2025-05-07点击次数:142

X-射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)都是广泛应用于材料元素组成的表面分析技术,分别通过光电子特征峰和俄歇电子特征峰识别元素。然而,XPS全谱中常出现俄歇峰伴峰,为帮助大家更好理解XPS的俄歇峰和AES俄歇谱,本文将对两者的产生机制、谱图特征及重要差异进行详细阐述。


俄歇电子的产生机制: XPS与AES的共性基础


俄歇电子产生过程可分为三个关键步骤:

1. 空位形成:香蕉视频污污在线观看(XPS)或高能电子束(AES)激发内层电子逸出,形成电子空位(如K壳层);

2. 电子跃迁:外层电子(如L壳层)填补空位,释放能量ΔE = EK - EL;

3. 能量转移:释放的能量通过两种方式耗散:

(1) 荧光香蕉视频污污在线观看:以光子形式辐射能量(特征香蕉视频污污在线观看)。

(2) 俄歇电子:能量转移至另一外层电子(如L'壳层),使其脱离原子。

由此可见,俄歇电子的产生涉及到三个能级(如图1所示),分别是:产生空位的能级(如K壳层)、发生电子回填的能级(如L壳层)、结果出射电子的能级(如L'壳层),所以俄歇峰通常会由三个字母来表示(如:KLL),且俄歇电子的动能也由这三个电子能级决定:EKLL= EK - EL - EL’。

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图1. XPS 中俄歇电子的激发过程。

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图2. AES中俄歇电子激发过程。

从XPS图谱中俄歇的激发(见图1)和AES图谱中俄歇的激发(见图2)原理来看,二者除形成空位的入射源(XPS:X-ray VS AES:电子束)不一样外,退激发产生俄歇电子的过程和俄歇电子能量都是一样的。

XPS中的俄歇峰特征

香蕉视频污污在线观看激发产生光电子,伴随着退激发过程产生俄歇电子,所以在XPS全谱中除了芯能级谱峰外,还会观察到俄歇伴峰,可能干扰元素识别。香蕉视频污污在线观看光电子能谱(XPS)中的俄歇伴峰是分析材料表面化学态的重要工具,尤其在Cu、Zn、Ag等元素的化学态解析中具有优势。

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可见对于Cu(金属)和CuO,Cu 2p/的XPS谱图结合能相近,很难直接通过XPS谱峰进行区分,反而通过俄歇参数可以准确分析Cu(金属)和CuO。

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图3. PHI XPS Handbook附录中Cu俄歇参数。

俄歇峰涉及三个能级(如KLL、LMM等),导致其谱峰峰形复杂且覆盖较宽的能量范围,这可能对芯能级光电子谱峰(如Co 2p、Mn 2p等)的定性与定量分析造成明显干扰。值得注意的是,俄歇峰的动能由跃迁能级决定,而其在XPS谱图中的表观结合能位置则与激发源能量相关。例如,当分别采用Al Kα(1486.6 eV)和Mg Kα(1253.6 eV)香蕉视频污污在线观看源时,同一俄歇峰的动能虽保持不变,但因结合能计算方式差异,其在谱图中的位置将发生与激发源能量差值(Δhv=233 eV)相对应的位移量。这一特性为改变俄歇峰干扰提供了理论依据:通过选择不同激发源(如Al靶或Mg靶),可使俄歇峰在结合能轴上发生可控偏移,从而避开与目标芯能级谱峰的重叠区域。例如,在NCM电池分析中,使用Al靶时Ni LMM俄歇峰与Co 2p和Mn 2p特征峰存在重叠,而切换至Mg Kα(1253.6 eV)激发源后,俄歇峰偏移使得两者的分离度明显提升。因此,在XPS分析中,通过换靶技术可实现俄歇峰位置的人为调控,有效规避其对芯能级谱峰的干扰。

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图4. XPS中的俄歇峰

AES中的俄歇谱图

AES采用场发射电子源作为探针,不只能通过从样品表面激发出二次电子以观察表面形貌,还能通过探测俄歇电子,用于表面成分分析。俄歇跃迁过程表明,俄歇电子的动能只与原子轨道能级相关,而与入射电子能量无关,因此俄歇电子的动能被视为识别元素“指纹"特征。如图5所示,在AES的直接俄歇谱图中,除了俄歇电子外,还包含二次电子和背散射电子。俄歇电子信号以相对较小的谱峰形式出现,并叠加在二次电子和背散射电子的连续本底上。因此,为了减小本底信号并增强俄歇信号,俄歇电子谱图需要进行微分处理。通过AES微分谱图中俄歇峰位的动能、峰形和相对强度可以对元素进行鉴别。

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图5. 俄歇谱示意图。

AES作为一种先进的电子束探针表征技术,在纳米级乃至更高精度的空间分辨要求上展现出了优势,因此非常适用于纳米尺度材料的表征。与扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等依赖电子束探针的技术相似,AES在电子束聚焦能力上表现出色,尤其是场发射电子束技术的融入,极大地提升了其空间分辨能力。图6生动展示了颗粒的面扫影像及其在不同选定区域的AES谱图,使研究者能够一目了然地观察材料表面各元素的分布情况,包括元素富集区以及元素间的相互作用等微妙细节。

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图6. 颗粒面扫影像和不同位置的AES谱图。

XPS与AES的重要差异对比

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思考题:为何1486 eV激发下XPS≠AES?XPS通常采用Al Kα(1486 eV)香蕉视频污污在线观看激发,如果AES使用 1486 eV电子束激发,AES是否可以得到和XPS一样的谱图

这一问题的重要在于光子-电子相互作用(如XPS)与电子-电子相互作用(如AES)的本质差异:

★ XPS中光子-电子相互作用:香蕉视频污污在线观看(光子)通过光电效应与芯能级电子相互作用,光子(hv)将全部能量转移给电子,电子逃逸出原子束缚而产生光电子。该光电过程遵守能量守恒:KE=hv-BE-Φsp。式中,KE是XPS中出射光电子的动能,由入射香蕉视频污污在线观看的能量hν、光电子的结合能BE和仪器功函数Φsp来决定的。

★ AES中电子-电子相互作用:高能量电子轰击原子时,入射电子与物质原子核、核外轨道电子或库仑场发生一系列复杂的相互作用,该过程不只会改变电子运动方向,而且动量和动能也会有所变化。其中入射电子与原子内壳层电子碰撞,入射电子将能量转移给内壳层电子,然后内壳层电子会被电离产生不稳定的空位,退激发过程中产生俄歇电子。入射电子初始动能为 E0,碰撞后损失能量 ΔE,其中 ΔE≥Eb (Eb为内壳层电子的结合能)。入射电子剩余动能为 E0ΔE,被电离电子获得动能为 ΔEEb。可见不同于光电效应,被电离电子不是获得入射电子的所有能量。

因为光子-电子相互作用与电子-电子相互作用的本质差异,即使使用相同的激发能量(如1486 eV),AES和XPS谱图仍会呈现明显区别。

-转载于《PHI表面分析 UPN》文章



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